可以使用不同的方法在細胞單層中創(chuàng)建間隙：

• 插件：通過在細胞接種前將插入物/模板放置在培養(yǎng)表面上來創(chuàng)建物理細胞排除

• 刮擦：通過刮擦表面來機械去除細胞（刮擦測定）

• 阻抗：通過在指定區(qū)域施加電壓來去除細胞

有關如何創(chuàng)建間隙的更多詳細信息和方法，請查看此評論：

W.J. Ashby, A. Zijlstra. Established and novel methods of interrogating two-dimensional cell migration. Integr Biol 2012, 10.1039/c2ib20154b

ibidi 提供三種不同的培養(yǎng)插件用于間隙創(chuàng)建：ibidi培養(yǎng)插件 2 孔、3 孔和4 孔。由于特殊設計的底部，培養(yǎng)插件粘附在表面上，防止任何細胞在壁下生長。取出培養(yǎng)插件后，新產生的無細胞間隙（傷口）是干凈的，沒有任何殘留物。該方法允許在沒有任何細胞的情況下可重復地創(chuàng)建高度限定的間隙。

當放置在平坦、干凈的表面上時，Culture-Insert 2 Well提供兩個用于培養(yǎng)細胞的儲液器，兩個儲液器由 500 μm 厚的壁隔開。將細胞接種到儲存器中并培養(yǎng)直至它們附著并形成單層。從表面去除硅膠插件會產生兩個精確定義的細胞斑塊，它們被與分隔壁寬度完全相同的區(qū)域分開。現在可以通過使用活細胞成像或在不同時間點拍照來監(jiān)測細胞遷移。

Culture -Insert 3 Well提供三個細胞培養(yǎng)槽。它創(chuàng)建兩個各 500 µm 的無細胞間隙，因此適合分析兩個技術重復或不同細胞類型的遷移。

Culture -Insert 4 Well提供四個細胞培養(yǎng)槽。除了四個 500 µm 無細胞間隙外，它的中間還包括一個 1 mm 的中心間隙。Culture-Insert 4 Well 允許觀察最多四個技術重復或不同細胞類型的遷移。

使用 ibidi Culture-Insert 4 Well 進行傷口愈合和遷移測定。

培養(yǎng)插件3 孔| 4孔兩者都可以在藥物治療或基因沉默/過度表達（例如，通過 CRISPR/Cas9、siRNA、mRNA）后進行細胞遷移分析。重要的是，未經處理的對照細胞可以在同一容器中接種并分析，共享相同的培養(yǎng)基。

與其他間隙創(chuàng)建技術不同，ibidi 培養(yǎng)插件適用于同時使用兩種、三種甚至四種細胞類型或處理的2D侵襲測定和共培養(yǎng)測定。

進行劃痕測定時，細胞會生長直至形成單層。然后，用移液管尖端或針手動刮擦細胞表面以產生傷口。通過在不同時間點拍照或活細胞成像來監(jiān)測傷口閉合和細胞遷移。

關于再現性，該方法有一定的缺點：

• 間隙寬度很大程度上取決于施加到移液器尖端的壓力及其尺寸。

• 刮擦會以不可重復的方式去除表面涂層。這改變了該區(qū)域的細胞粘附和遷移。

• 去除的細胞以不可重現的方式在劃痕邊緣形成活細胞和死細胞團。活細胞的擴散可以覆蓋遷移的速度。

乍一看，刮擦和放置培養(yǎng)插件的方法似乎是兩種非常相似的創(chuàng)建無細胞間隙的方法。然而，仔細觀察，這兩種方法在可能影響測定結果的重要方面存在差異：

與劃痕檢測相比，ibidi 培養(yǎng)插片可提供更高的重現性

由于細胞遷移導致開放區(qū)域隨時間變化。使用 ibidi Culture-Insert 2 Well（左）和使用移液器吸頭刮擦（右）創(chuàng)建間隙的比較。數據由德國弗萊堡大學 M. Börries 提供。