國儀量子電鏡在EUV光刻膠顯影后圖形側壁角度中的應用報告
國儀量子電鏡在 EUV 光刻膠顯影后圖形側壁角度的應用報告
一、背景介紹
在芯片制造領域，極紫外光刻（EUV）技術是實現芯片特征尺寸不斷縮小、集成度持續提升的核心技術。隨著芯片制造工藝向 7nm 及以下節點邁進，EUV 光刻憑借其 13.5nm 的極短波長，能夠實現更高分辨率的圖形轉移，滿足芯片制造對精細圖案的嚴苛要求。
光刻膠作為 EUV 光刻中的關鍵材料，在曝光后需經過顯影工藝形成精確的圖形。其中，光刻膠顯影后圖形的側壁角度對芯片性能起著決定性作用。理想的垂直側壁角度能夠確保后續刻蝕等工藝精確復制光刻圖案，保證芯片電路的精準布線和器件性能。若側壁角度出現偏差，如呈現內傾或外傾，會導致刻蝕過程中圖案變形，影響芯片的電學性能，增加短路或斷路風險，降低芯片的成品率和可靠性。側壁角度受光刻膠材料特性、曝光劑量、顯影時間和溫度等多種因素綜合影響。因此，精準測量 EUV 光刻膠顯影后圖形側壁角度，對優化光刻工藝、提高芯片制造質量、推動芯片產業發展至關重要。
二、電鏡應用能力
（一）微觀形貌成像
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力，能夠清晰呈現 EUV 光刻膠顯影后圖形的微觀形貌。可精確觀察到圖形側壁的形狀，判斷其是否垂直，以及是否存在彎曲、鋸齒等異常情況。通過對微觀形貌的細致成像，為測量側壁角度提供直觀且準確的圖像基礎。例如，清晰的側壁輪廓成像有助于準確確定測量角度的基準線。
（二）側壁角度測量與分析
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件，能夠對光刻膠顯影后圖形的側壁角度進行精確測量。在圖像上選取合適的測量點，通過軟件算法計算側壁與基底平面的夾角。對不同位置的多個圖形進行測量，統計分析側壁角度的分布情況，評估角度的一致性。例如，較小的角度標準差意味著側壁角度均勻，有利于提高芯片制造的一致性和可靠性。精確的側壁角度測量與分析為工藝優化提供量化數據支持。
（三）角度與工藝參數關聯研究
SEM3200 獲取的側壁角度數據，結合實際光刻工藝參數，能夠輔助研究側壁角度與工藝參數之間的關聯。通過對不同工藝條件下光刻膠顯影后圖形側壁角度的對比分析，確定哪些工藝參數的變化對側壁角度影響顯著。例如，發現曝光劑量的微小調整會導致側壁角度發生明顯變化，為優化光刻工藝參數提供依據，從而實現對側壁角度的精準控制。
三、產品推薦
國儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是 EUV 光刻膠顯影后圖形側壁角度測量的理想設備。它具有良好的分辨率，能清晰捕捉到光刻膠圖形微觀形貌的細微特征和角度變化。操作界面人性化，配備自動功能，大大降低了操作難度，即使經驗不足的研究人員也能快速上手，高效完成測量任務。設備性能穩定可靠，長時間連續工作仍能確保檢測結果的準確性與重復性。憑借這些優勢，SEM3200 為芯片制造企業、光刻膠研發機構以及科研院所提供了有力的技術支撐，助力優化光刻工藝、提高芯片制造質量，推動芯片產業的技術進步與發展。
一、背景介紹
在芯片制造領域，極紫外光刻（EUV）技術是實現芯片特征尺寸不斷縮小、集成度持續提升的核心技術。隨著芯片制造工藝向 7nm 及以下節點邁進，EUV 光刻憑借其 13.5nm 的極短波長，能夠實現更高分辨率的圖形轉移，滿足芯片制造對精細圖案的嚴苛要求。
光刻膠作為 EUV 光刻中的關鍵材料，在曝光后需經過顯影工藝形成精確的圖形。其中，光刻膠顯影后圖形的側壁角度對芯片性能起著決定性作用。理想的垂直側壁角度能夠確保后續刻蝕等工藝精確復制光刻圖案，保證芯片電路的精準布線和器件性能。若側壁角度出現偏差，如呈現內傾或外傾，會導致刻蝕過程中圖案變形，影響芯片的電學性能，增加短路或斷路風險，降低芯片的成品率和可靠性。側壁角度受光刻膠材料特性、曝光劑量、顯影時間和溫度等多種因素綜合影響。因此，精準測量 EUV 光刻膠顯影后圖形側壁角度，對優化光刻工藝、提高芯片制造質量、推動芯片產業發展至關重要。
二、電鏡應用能力
（一）微觀形貌成像
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力，能夠清晰呈現 EUV 光刻膠顯影后圖形的微觀形貌。可精確觀察到圖形側壁的形狀，判斷其是否垂直，以及是否存在彎曲、鋸齒等異常情況。通過對微觀形貌的細致成像，為測量側壁角度提供直觀且準確的圖像基礎。例如，清晰的側壁輪廓成像有助于準確確定測量角度的基準線。
（二）側壁角度測量與分析
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件，能夠對光刻膠顯影后圖形的側壁角度進行精確測量。在圖像上選取合適的測量點，通過軟件算法計算側壁與基底平面的夾角。對不同位置的多個圖形進行測量，統計分析側壁角度的分布情況，評估角度的一致性。例如，較小的角度標準差意味著側壁角度均勻，有利于提高芯片制造的一致性和可靠性。精確的側壁角度測量與分析為工藝優化提供量化數據支持。
（三）角度與工藝參數關聯研究
SEM3200 獲取的側壁角度數據，結合實際光刻工藝參數，能夠輔助研究側壁角度與工藝參數之間的關聯。通過對不同工藝條件下光刻膠顯影后圖形側壁角度的對比分析，確定哪些工藝參數的變化對側壁角度影響顯著。例如，發現曝光劑量的微小調整會導致側壁角度發生明顯變化，為優化光刻工藝參數提供依據，從而實現對側壁角度的精準控制。
三、產品推薦
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