摘 　要: 目的 　探討非均勻恒磁場N、S極對小鼠學習記憶的影響。方法 　用避暗實驗法和自主活動法,分別觀察非均勻恒磁場N、S極對學習記憶能力的影響;應用光鏡觀察非均勻恒磁場N、S極治療后,腦組織神經元細胞形態學改變。結果 　避暗實驗表明磁場N極組與空白對照組比較,學習成績測試錯誤次數(mis2take ,M 值)減少,記憶測試M值減少,均有顯著性差異( P< 0. 05) ;磁場S極組與空白對照組比較,記憶測試M值減少,有顯著性差異( P< 0. 05) ;小鼠自主活動測定各組均無顯著性差異( P>0. 05) ;各組比較腦神經元的結構無明顯改變。結論 　非均勻恒磁場的預防性治療,可提高小鼠的學習記憶能力,并以N極為著。

關 鍵 詞: 學習和記憶;非均勻恒磁場;自主活動

　　磁療在臨床上廣泛應用,對神經系統的作用主要表現在鎮痛和鎮靜方面,但對學習記憶能力是否有影響未見報道。筆者采用小鼠避暗實驗法和自主活動法,分別觀察了非均勻恒磁場N、S極對小鼠學習記憶能力的影響,并且用光鏡觀察了非均勻恒磁場治療后,小鼠大腦皮質神經元的組織學結構變化,現報道如下。

    1　材料與方法

1. 1 　實驗動物及分組

昆明種小鼠54只,雌雄各半,體重(20±2)g(由白求恩醫科大學實驗動物中心提供) 。隨機分為3組,即空白對照組、磁場N極組和磁場S極組,每組18只。

1. 2 　磁場裝置及儀器

1cm×1 cm×0. 2 cm的N、S極磁極板各24片,極性相同的為一組, 每組以前后、左右間距

3 cm,分4排排列,N 或S極朝向鼠體,固定在兩個硬塑料鼠盒外底部,測定磁極板游離極及相鄰磁極板橫間距、縱間距和對角線中心點對應的鼠盒底部內側磁場強度,在N極組分別是30. 0、3. 0、3. 1和1. 4 mT;在S極組分別是46. 0、3. 9、4. 0和1. 4 mT。磁場N、S極組的小鼠分別在N極朝向鼠體或S極朝向鼠體的鼠盒內飼養。小鼠避暗實驗自動記錄儀、小鼠自主活動程序自動控制儀,均為中國科學院藥物研究所制造。

1. 3 　方 　法

　　小鼠避暗實驗:動物適應環境3 d后進行實驗,室溫15℃～18℃。磁場治療15 d后,行小鼠避暗實驗的學習訓練。方法按文獻將小鼠置于避暗實驗儀的明室中,記錄5 min內小鼠第一次進入暗室受到電擊所需的時間為潛伏期(EL) ,并記錄5 min內小鼠受電擊的次數作為錯誤次數(M) 。24 h后再重復避暗實驗,記錄受電擊的M和EL ,以此作為評價小鼠記憶功能的指標。

　　小鼠自主活動測定:將小鼠置于自主活動自動記錄箱中,記錄5 min內的活動次數。

　　光鏡標本制作及統計學處理:在學習記憶功能測定后,立即將每組小鼠斷頭處死6只,取大腦半球額葉前部相同部位的皮質,行光鏡常規方法固定、切片、觀察。比較各組腦神經元組織學結構的改變。結果以平均值 ±標準差(�x±s)表示,采用方差分析及多個樣本均數間兩兩比較的q檢驗。

    2　結 　果

非均勻恒磁場對小鼠學習記憶、自主活動的影響,詳見表1～2。光鏡觀察結果,各組間腦神經元組織學結構無明顯改變。

    3　討 　論

　　現已有實驗證明,恒磁場具有神經系統的生物學效應,但作用機理并不十分清楚。